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SCT3120ALGC11相关型号
ROHM热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • SCT3120ALGC11

  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET NCH 650V 21A TO247N
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）650V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）21A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）18V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）156 毫欧 @ 6.7A，18V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5.6V @ 3.33mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）38nC @ 18V
  • Vgs（最大值）+22V，-4V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）460pF @ 500V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）103W（Tc）
  • 工作温度175°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247N
  • 封装/外壳TO-247-3

其它信息

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